裏面加工

ウェーハの薄型化研削研磨・裏面電極付けまでを一貫で対応します。

加工実績	GaAs	30μm～　対応可能です。
	InP	80μm～　対応可能です。
	Si	30μm～　対応可能です。

• 各種ウェーハの裏面研削加工
• 各種ウェーハの裏面金属付け加工

高周波用途のデバイスは、近年さらに高周波化、高パワー化が要求されています。その際、問題となるのが、ウェーハ裏面加工であり、ウェーハをより薄く加工する事が必要です。その様な薄いウェーハは、ハンドリング等、非常に難しくなります。薄くしたがハンドリングが出来ない等のプロセスについて、当社では裏面加工からダイシングまでを一貫で行うことにより、そのような問題を一気に解決しています。

（1）バックグラインド加工仕様

バックグラインドプロセスについては、現在2仕様の加工が量産化されています。 2仕様の加工プロセスについては下表の通り、100から150μｍ以下の薄型加工プロセスAとそれ以上の厚み加工を行うプロセスBに分かれています。

（2）バックグラインド歪の取り除き方法

ポリッシング、エッチングを組み合わせて歪取りを行います。

（3）裏面金属膜付け加工

裏面金属付けは、スパッター装置を使用します。

（4）金メッキ加工

＊ウェーハ面内の厚みバラツキ

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